与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
得捷:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
贸泽:
Gate Drivers SYNCH BUCK MSFT HV DRVR 8LD EP -- DISAB
安富利:
MOSFET DRVR 3A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N EP
Chip1Stop:
Driver 3A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N EP
电源电压DC 13.2V max
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 2
输出电流 3 A
耗散功率 2 W
上升时间 26 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 10.8V ~ 13.2V
电源电压Max 13.2 V
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
长度 4.98 mm
宽度 3.99 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ISL6613AEIBZ Intersil 英特矽尔 | 当前型号 | 当前型号 |
ISL6613AEIB 英特矽尔 | 完全替代 | ISL6613AEIBZ和ISL6613AEIB的区别 |
ISL6613AEIBZ-T 英特矽尔 | 功能相似 | ISL6613AEIBZ和ISL6613AEIBZ-T的区别 |