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IX6R11S6T/R图片1

IX6R11S6T/R概述

IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 18-SOIC

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 18SOIC

IX6R11S6T/R中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 25ns, 17ns

电源电压 10V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-18

外形尺寸

封装 SOIC-18

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IX6R11S6T/R

型号： IX6R11S6T/R

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC