IXDI430YI参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXDI430YI概述

IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5

低端栅极驱动器 IC 反相 TO-263-5

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

贸泽:
Gate Drivers 30 Amps 40V 0.4 Rds

IXDI430YI中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 18ns, 16ns

输出接口数 1

输出电流 30 A

耗散功率 2000 mW

上升时间 20 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

电源电压 8.5V ~ 35V

电源电压Min 8.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-6

外形尺寸

封装 TO-263-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDI430YI

型号： IXDI430YI

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5

替代型号IXDI430YI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXDI430YI IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXDN430MYI IXYS Semiconductor	完全替代	IXDI430YI和IXDN430MYI的区别
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