ICL7667EBA

ICL7667EBA图片1
ICL7667EBA图片2
ICL7667EBA图片3
ICL7667EBA图片4
ICL7667EBA图片5
ICL7667EBA图片6
ICL7667EBA图片7
ICL7667EBA概述

MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N

Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


安富利:
MOSFET DRVR 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N


ICL7667EBA中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 17.0V max

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 2

耗散功率 200 mW

耗散功率Max 200 mW

电源电压 4.5V ~ 17V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

ICL7667EBA引脚图与封装图
ICL7667EBA引脚图
ICL7667EBA封装图
ICL7667EBA封装焊盘图
在线购买ICL7667EBA
型号: ICL7667EBA
描述:MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N
替代型号ICL7667EBA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ICL7667EBA

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

ICL7667EBA+

美信

完全替代

ICL7667EBA和ICL7667EBA+的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台