IR2117

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IR2117概述

MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP

Summary of Features:

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Floating channel designed for bootstrap operation
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Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage
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dV/dt immune
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Gate drive supply range from 10 to 20 V
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Undervoltage lockout
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CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
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Output in phase with input or out of phase with input IR2118
IR2117中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 20.0V max

上升/下降时间 80ns, 40ns

输出接口数 1

输出电压 ≥10.0 V

耗散功率 1000 mW

产品系列 IR2117

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 130 ns

耗散功率Max 1000 mW

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

IR2117引脚图与封装图
IR2117电路图
在线购买IR2117
型号: IR2117
描述:MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP
替代型号IR2117
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IR2117

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IR2117PBF

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IR2117和IR2117PBF的区别

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