ICL7667EBA+T参数规格_中文资料_数据手册PDF

ICL7667EBA+T概述

MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N T/R

半桥栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

ICL7667EBA+T中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 17.0V max

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 2

电源电压 4.5V ~ 17V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ICL7667EBA+T引脚图与封装图

在线购买ICL7667EBA+T

型号： ICL7667EBA+T

描述：MOSFET DRVR 2Out High Speed Inv 8Pin SOIC N T/R

替代型号ICL7667EBA+T