IR2118STR

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IR2118STR概述

IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC

High-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC


IR2118STR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 20.0V max

上升/下降时间 80ns, 40ns

输出接口数 1

产品系列 IR2118

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IR2118STR
型号: IR2118STR
描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC
替代型号IR2118STR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IR2118STR

Infineon 英飞凌

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IR2118STRPBF

英飞凌

完全替代

IR2118STR和IR2118STRPBF的区别

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