MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,
一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
欧时:
Infineon IR2130S 6路 三相 MOSFET 功率驱动器, 0.5A, 10 → 20 V电源, 28引脚 SOIC封装
艾睿:
Driver 600V 0.5A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W
上升/下降时间 80ns, 35ns
输出接口数 6
输出电流 0.25 A
耗散功率 1600 mW
下降时间Max 55 ns
上升时间Max 125 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1600 mW
电源电压 10V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
长度 18.1 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-28
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IR2130S Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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