IR2111S

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IR2111S概述

Driver 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC

Summary of Features:

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Floating channel designed for bootstrap operation
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Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage
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dV/dt immune
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Gate drive supply range from 10 to 20 V
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Undervoltage lockout for both channels
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CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
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Matched propagation delay for both channels
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Internally set deadtime
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High side output in phase with input
IR2111S中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 80ns, 40ns

输出接口数 2

耗散功率 625 mW

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 130 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 10V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

IR2111S引脚图与封装图
IR2111S电路图
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型号: IR2111S
描述:Driver 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC

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