IR21365JTRPBF概述
MOSFET DRVR 600V 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 32Pin PLCC T/R
半桥 栅极驱动器 IC 反相 44-PLCC，32 引线（16.58x16.58）
得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
贸泽:
Gate Drivers 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns
安富利:
MOSFET DRVR 600V 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 32-Pin PLCC T/R
Chip1Stop:
MOSFET DRVR 600V 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 32-Pin PLCC T/R
IR21365JTRPBF中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 125ns, 50ns
输出接口数 6
耗散功率 2 W
上升时间 190 ns
下降时间 75 ns
下降时间Max 75 ns
上升时间Max 190 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 12V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 12 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PLCC-44
外形尺寸
长度 16.66 mm
宽度 16.66 mm
高度 3.69 mm
封装 PLCC-44
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IR21365JTRPBF
型号： IR21365JTRPBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：MOSFET DRVR 600V 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 32Pin PLCC T/R