ISL6612BECBZ参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL6612BECBZ概述

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP

得捷:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

安富利:
MOSFET DRVR 3A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N EP

Chip1Stop:
Driver 3A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N EP

ISL6612BECBZ中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 13.2V max

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 2

耗散功率 2000 mW

耗散功率Max 2000 mW

电源电压 7V ~ 13.2V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ISL6612BECBZ引脚图与封装图

在线购买ISL6612BECBZ

型号： ISL6612BECBZ

制造商： Intersil 英特矽尔

描述：与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP