ISL6613BIRZ参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL6613BIRZ概述

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 10-DFN 3x3

得捷:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

贸泽:
Gate Drivers SYNCH BUCK MSFT HV DRVR LW POR 10LD 3X3

Chip1Stop:
Driver 3A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin DFN EP

ISL6613BIRZ中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 13.2V max

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 2

输出电流 3 A

耗散功率 1.5 W

上升时间 26 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 7V ~ 13.2V

电源电压Max 13.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN-10

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 1 mm

封装 DFN-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ISL6613BIRZ引脚图与封装图

在线购买ISL6613BIRZ

型号： ISL6613BIRZ

制造商： Intersil 英特矽尔

描述：与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP