与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-QFN 4x4
得捷:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
安富利:
MOSFET DRVR 3A 4-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 16-Pin QFN EP
Chip1Stop:
Driver 3A 4-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 16-Pin QFN EP
电源电压DC 13.2V max
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 4
输出电流 3 A
耗散功率 2 W
上升时间 26 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
电源电压 10.8V ~ 13.2V
电源电压Max 13.2 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 QFN-16
长度 4 mm
宽度 4 mm
高度 0.95 mm
封装 QFN-16
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ISL6614AIRZ Intersil 英特矽尔 | 当前型号 | 当前型号 |
ISL6614ACB-T 英特矽尔 | 类似代替 | ISL6614AIRZ和ISL6614ACB-T的区别 |
ISL6614ACRZ-T 英特矽尔 | 类似代替 | ISL6614AIRZ和ISL6614ACRZ-T的区别 |