ISL6620AIBZ-T参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL6620AIBZ-T中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 8 ns

输出接口数 2

输出电流 4 A

上升时间 8 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ISL6620AIBZ-T引脚图与封装图

在线购买ISL6620AIBZ-T

型号： ISL6620AIBZ-T

制造商： Intersil 英特矽尔

描述：MOSFET DRVR 4A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N T/R

替代型号ISL6620AIBZ-T