ISL6614BCBZ-T中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 26ns, 18ns
输出接口数 4
输出电流 3 A
耗散功率 1 W
上升时间 26 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 7V ~ 13.2V
电源电压Max 13.2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
外形尺寸
长度 8.65 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-14
物理参数
工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL6614BCBZ-T引脚图与封装图 
在线购买ISL6614BCBZ-T
型号： ISL6614BCBZ-T
制造商：
Intersil
英特矽尔
描述：与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP
替代型号ISL6614BCBZ-T
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ISL6614BCBZ-T Intersil 英特矽尔 | 当前型号 | 当前型号 |
ISL6614BIBZ 英特矽尔 | 完全替代 | ISL6614BCBZ-T和ISL6614BIBZ的区别 |
ISL6614BIBZ-T 英特矽尔 | 完全替代 | ISL6614BCBZ-T和ISL6614BIBZ-T的区别 |
ISL6614BCBZ 英特矽尔 | 类似代替 | ISL6614BCBZ-T和ISL6614BCBZ的区别 |