ISL89162FBEAZ-T

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ISL89162FBEAZ-T中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 2

耗散功率 33300 mW

耗散功率Max 33300 mW

电源电压 4.5V ~ 16V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ISL89162FBEAZ-T引脚图与封装图
ISL89162FBEAZ-T引脚图
ISL89162FBEAZ-T封装图
ISL89162FBEAZ-T封装焊盘图
在线购买ISL89162FBEAZ-T
型号: ISL89162FBEAZ-T
制造商: Intersil 英特矽尔
描述:MOSFET DRVR 6A 2Out High Speed Full Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R
替代型号ISL89162FBEAZ-T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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