ISL89167FBEAZ-T中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 20 ns
输出接口数 2
输出电流 6 A
耗散功率 2.27 W
上升时间 20 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2270 mW
电源电压 4.5V ~ 16V
电源电压Max 16 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.98 mm
宽度 3.99 mm
高度 1.47 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL89167FBEAZ-T引脚图与封装图 
在线购买ISL89167FBEAZ-T
型号： ISL89167FBEAZ-T
制造商：
Intersil
英特矽尔
描述：MOSFET DRVR 6A 2Out High Speed Full Brdg Inv 8Pin SOIC EP T/R
替代型号ISL89167FBEAZ-T
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ISL89167FBEAZ-T Intersil 英特矽尔 | 当前型号 | 当前型号 |
ISL89167FBEAZ 英特矽尔 | 类似代替 | ISL89167FBEAZ-T和ISL89167FBEAZ的区别 |