ISL6614BIRZ-T参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL6614BIRZ-T中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 4

输出电流 3 A

耗散功率 2 W

上升时间 26 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 7V ~ 13.2V

电源电压Max 13.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 QFN-16

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 4 mm

高度 0.95 mm

封装 QFN-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

ISL6614BIRZ-T引脚图与封装图

在线购买ISL6614BIRZ-T

型号： ISL6614BIRZ-T

制造商： Intersil 英特矽尔

描述：与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

替代型号ISL6614BIRZ-T