IDD08SG60C中文资料参数规格
技术参数
额定功率 100 W
负载电流 8 A
反向恢复时间 0 ns
正向电流 8 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 42 A
正向电压Max 2.1V @8A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IDD08SG60C
型号： IDD08SG60C
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IDD08SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252
替代型号IDD08SG60C
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IDD08SG60C Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IDD08SG60CXTMA1 英飞凌 | 完全替代 | IDD08SG60C和IDD08SG60CXTMA1的区别 |
IDH08SG60C 英飞凌 | 功能相似 | IDD08SG60C和IDH08SG60C的区别 |