IXFN200N07

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IXFN200N07概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N07  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V

The is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode HiPerFET™. It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, synchronous rectification, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.

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International standard packages
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MiniBLOC with aluminium nitride isolation
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Rugged polysilicon gate cell structure
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Unclamped inductive switching UIS rating
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Low package inductance
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Easy to mount
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Space saving
IXFN200N07中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 70.0 V

额定电流 200 A

额定功率 520 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.006 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 520 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 70 V

漏源击穿电压 70 V

连续漏极电流Ids 200 A

上升时间 60 ns

隔离电压 2.50 kV

输入电容Ciss 9000pF @25VVds

额定功率Max 520 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

材质 Silicon

重量 44.0 g

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, 照明, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IXFN200N07
型号: IXFN200N07
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N07  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V
替代型号IXFN200N07
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