IXYS SEMICONDUCTOR IXFP10N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 740 mohm, 10 V, 5.5 V
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
立创商城:
IXFP10N60P
欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.74 ohm, 10 V, 5.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFP10N60P Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 740 mohm, 10 V, 5.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB / N-Channel 600 V 10A Tc 200W Tc Through Hole TO-220-3
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.74 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 1.61 nF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 27 ns
反向恢复时间 200 ns
输入电容Ciss 1610pF @25VVds
额定功率Max 200 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFP10N60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP10N60P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFP10N60P和IXTP10N60P的区别 |
STP10NM60N 意法半导体 | 功能相似 | IXFP10N60P和STP10NM60N的区别 |
IXFA10N60P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFP10N60P和IXFA10N60P的区别 |