IXFB132N50P3

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IXFB132N50P3概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFB132N50P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 132 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列

一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264


欧时:
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB132N50P3, 132 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXFB132N50P3 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1890000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes polar3 hiperfet technology.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin3+Tab PLUS 264


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 132A; 1890W; PLUS264; 250ns


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin3+Tab PLUS 264


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFB132N50P3  MOSFET Transistor, N Channel, 132 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264


IXFB132N50P3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.039 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.89 kW

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 132A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 18600pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1890W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.31 mm

高度 26.59 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, 替代能源, Lighting, Robotics, 照明, 电机驱动与控制, 机器人, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFB132N50P3
型号: IXFB132N50P3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFB132N50P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 132 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V

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