IXYS SEMICONDUCTOR IXFB132N50P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 132 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列
一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
欧时:
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB132N50P3, 132 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXFB132N50P3 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 1890000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes polar3 hiperfet technology.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin3+Tab PLUS 264
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 132A; 1890W; PLUS264; 250ns
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin3+Tab PLUS 264
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFB132N50P3 MOSFET Transistor, N Channel, 132 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
针脚数 3
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.89 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 132A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 18600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1890W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
高度 26.59 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, 替代能源, Lighting, Robotics, 照明, 电机驱动与控制, 机器人, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15