IXFK32N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFK32N80P概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXFK32N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 32 A, 800 V, 270 mohm, 10 V, 5 V

通孔 N 通道 800 V 32A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）

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N沟道 800V 32A

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MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA

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MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds

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晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 800 V, 0.27 ohm, 10 V, 5 V

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Trans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin3+Tab TO-264AA

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# IXYS SEMICONDUCTOR IXFK32N80P Power MOSFET, N Channel, 32 A, 800 V, 270 mohm, 10 V, 5 V

IXFK32N80P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.27 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 830 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 8800pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFK32N80P

型号： IXFK32N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXFK32N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 32 A, 800 V, 270 mohm, 10 V, 5 V

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