INFINEON IGP30N60H3 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
立创商城:
沟槽场截止 187W 600V 60A
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; Series: H3
儒卓力:
**IGBT 600V 60A 1.95V TO220-3 **
罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB
DeviceMart:
IGBT 600V 60A 187W TO220-3
额定功率 187 W
针脚数 3
耗散功率 187 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 187 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 187 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 All hard switching applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IGP30N60H3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STGP20NC60V 意法半导体 | 功能相似 | IGP30N60H3和STGP20NC60V的区别 |