IMT1A 系列 50 V 150 mA 表面贴装 双 PNP 通用 隔离 晶体管 -SC-74
Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 50V 150mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
得捷:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R
DeviceMart:
TRANS PNP DUAL 2SA1037AK SMT6
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
封装 SOT-457
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IMT1AT108 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMT1AT110 罗姆半导体 | 完全替代 | IMT1AT108和IMT1AT110的区别 |
IMT1A 罗姆半导体 | 功能相似 | IMT1AT108和IMT1A的区别 |
AT-110 罗姆半导体 | 功能相似 | IMT1AT108和AT-110的区别 |