IMT1AT110

IMT1AT110图片1
IMT1AT110图片2
IMT1AT110图片3
IMT1AT110图片4
IMT1AT110图片5
IMT1AT110图片6
IMT1AT110图片7
IMT1AT110图片8
IMT1AT110图片9
IMT1AT110图片10
IMT1AT110图片11
IMT1AT110图片12
IMT1AT110图片13
IMT1AT110图片14
IMT1AT110概述

ROHM  IMT1AT110  双极晶体管阵列, 双路, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457

双重双极性,ROHM

每个集成电路半导体封装具有两个晶体管。


得捷:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT


立创商城:
2个PNP 50V 150mA


欧时:
ROHM IMT1AT110, 双 PNP 双极晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 100 MHz, 6引脚 SC-74封装


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R


Newark:
# ROHM  IMT1AT110  Bipolar Transistor Array, Dual, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457


儒卓力:
**PNP/PNP DUALTRAN.50V 0,15A SMT6 **


DeviceMart:
TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT-457


Win Source:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT


IMT1AT110中文资料参数规格
技术参数

频率 140 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -150 mA

额定功率 0.3 W

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 300 mW

增益频宽积 140 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-457

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IMT1AT110引脚图与封装图
IMT1AT110引脚图
IMT1AT110封装图
IMT1AT110封装焊盘图
在线购买IMT1AT110
型号: IMT1AT110
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  IMT1AT110  双极晶体管阵列, 双路, PNP, 50 V, 300 mW, -150 mA, 120 hFE, SOT-457
替代型号IMT1AT110
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IMT1AT110

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

IMT1AT108

罗姆半导体

完全替代

IMT1AT110和IMT1AT108的区别

IMT1A

罗姆半导体

功能相似

IMT1AT110和IMT1A的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台