IMZ1AT108

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IMZ1AT108概述

ROHM  IMZ1AT108  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457

双重双极性,ROHM

每个集成电路半导体封装具有两个晶体管。


得捷:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT


立创商城:
1个NPN,1个PNP 50V 150mA


欧时:
ROHM IMZ1AT108, 双 NPN + PNP 双极晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 100 MHz, 6引脚 SC-74封装


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R


富昌:
IMZ1A 系列 50 V 150 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-75


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R


TME:
Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary; 50/-50V; 300mW


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R


Newark:
# ROHM  IMZ1AT108  Bipolar Transistor Array, Dual, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457


儒卓力:
**NPN/PNP DUAL-TRANS.50V0,15A SMT **


力源芯城:
NPN/PNP复合晶体管


DeviceMart:
TRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT-457


Win Source:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT


IMZ1AT108中文资料参数规格
技术参数

频率 180 MHz

额定电流 150 mA

额定功率 0.3 W

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 560

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-457

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, 便携式器材, Power Management, 通信与网络, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IMZ1AT108引脚图与封装图
IMZ1AT108引脚图
IMZ1AT108封装图
IMZ1AT108封装焊盘图
在线购买IMZ1AT108
型号: IMZ1AT108
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  IMZ1AT108  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457
替代型号IMZ1AT108
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IMZ1AT108

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

IMZ1A

罗姆半导体

功能相似

IMZ1AT108和IMZ1A的区别

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