ROHM IMZ1AT108 双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457
双重双极性,ROHM
每个集成电路半导体封装具有两个晶体管。
得捷:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
立创商城:
1个NPN,1个PNP 50V 150mA
欧时:
ROHM IMZ1AT108, 双 NPN + PNP 双极晶体管, 150 mA, Vce=50 V, HFE:120, 100 MHz, 6引脚 SC-74封装
艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R
富昌:
IMZ1A 系列 50 V 150 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - SC-75
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin SMT T/R
TME:
Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary; 50/-50V; 300mW
Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
Newark:
# ROHM IMZ1AT108 Bipolar Transistor Array, Dual, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457
儒卓力:
**NPN/PNP DUAL-TRANS.50V0,15A SMT **
力源芯城:
NPN/PNP复合晶体管
DeviceMart:
TRANS NPN/PNP 50V 150MA SOT-457
Win Source:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT
频率 180 MHz
额定电流 150 mA
额定功率 0.3 W
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-457
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, 便携式器材, Power Management, 通信与网络, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IMZ1AT108 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMZ1A 罗姆半导体 | 功能相似 | IMZ1AT108和IMZ1A的区别 |