IMT18T110

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IMT18T110概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN

- 双极 BJT - 阵列 2 PNP(双) 12V 500mA 260MHz 300mW 表面贴装型 SMT6


得捷:
TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN


艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin SMT T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin SMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin SMT T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 6-Pin SMT T/R


IMT18T110中文资料参数规格
技术参数

频率 260 MHz

额定功率 0.3 W

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 270 @10mA, 2V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IMT18T110
型号: IMT18T110
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
替代型号IMT18T110
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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