IS42S16800E-7BL-TR

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IS42S16800E-7BL-TR概述

DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGA T/R

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


贸泽:
DRAM 128M 8Mx16 143MHz SDRAM, 3.3v


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


IS42S16800E-7BL-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S16800E-7BL-TR
型号: IS42S16800E-7BL-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGA T/R

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