IMB11AT110

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IMB11AT110概述

晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm

IMB11A Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual PNP Digital Transistor - SC-74


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IMB11AT110中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -50.0 mA

额定功率 0.3 W

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

宽度 1.6 mm

高度 1.2 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IMB11AT110引脚图与封装图
IMB11AT110引脚图
IMB11AT110封装图
IMB11AT110封装焊盘图
在线购买IMB11AT110
型号: IMB11AT110
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
替代型号IMB11AT110
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IMB11AT110

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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EMB11T2R

罗姆半导体

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IMB11AT110和EMB11T2R的区别

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