IS42S16160B-6T

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IS42S16160B-6T概述

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II


IS42S16160B-6T中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 166MHz max

存取时间 6.00 ns

内存容量 256000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

IS42S16160B-6T引脚图与封装图
IS42S16160B-6T引脚图
IS42S16160B-6T封装图
IS42S16160B-6T封装焊盘图
在线购买IS42S16160B-6T
型号: IS42S16160B-6T
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II

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