IMH4AT110

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IMH4AT110概述

晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm

IMH4A Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-74


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IMH4AT110


得捷:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6


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晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R


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Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6


DeviceMart:
TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457


IMH4AT110中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.3 W

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

宽度 1.6 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

IMH4AT110引脚图与封装图
IMH4AT110引脚图
IMH4AT110封装图
IMH4AT110封装焊盘图
在线购买IMH4AT110
型号: IMH4AT110
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
替代型号IMH4AT110
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IMH4AT110

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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IMH8AT108

罗姆半导体

完全替代

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