IMB9AT110

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IMB9AT110概述

双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 70MA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6


得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 70MA


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SMT T/R


儒卓力:
**PNP/PNP DIGITAL 47K/10k 50V 0,0 **


Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6


DeviceMart:
TRANS DUAL PNP 50V 70MA SOT-457


IMB9AT110中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -70.0 mA

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 68

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SC-74-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IMB9AT110
型号: IMB9AT110
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 70MA

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