IMB2AT110概述
SMT PNP 50V 100mA
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置
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IMB2AT110
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
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Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SMT T/R
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
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TRANS DUAL PNP 50V 30MA SOT-457
Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
IMB2AT110中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -30.0 mA
额定功率 0.3 W
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IMB2AT110引脚图与封装图 
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