SMT NPN 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
得捷:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
DeviceMart:
TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-74-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IMH14AT108 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMH4AT110 罗姆半导体 | 类似代替 | IMH14AT108和IMH4AT110的区别 |
UMH8NTR 罗姆半导体 | 类似代替 | IMH14AT108和UMH8NTR的区别 |