IS42S16160D-75ETLI

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IS42S16160D-75ETLI概述

动态随机存取存储器 256M 32Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 133MHz 5.5ns 54-TSOP II


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II


贸泽:
动态随机存取存储器 256M 32Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II


Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II


IS42S16160D-75ETLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 180 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

长度 22.22 mm

宽度 10.16 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S16160D-75ETLI
型号: IS42S16160D-75ETLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M 32Mx8 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
替代型号IS42S16160D-75ETLI
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完全替代

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