双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 250 hFE, SOT-457
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 300mW 表面贴装型 SMT6
得捷:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
e络盟:
双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 250 hFE, SOT-457
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 6
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
封装 SC-74-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IMH15AT110 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMH4AT110 罗姆半导体 | 类似代替 | IMH15AT110和IMH4AT110的区别 |
UMH8NTR 罗姆半导体 | 类似代替 | IMH15AT110和UMH8NTR的区别 |