IMB4AT110参数规格_中文资料_数据手册PDF

IMB4AT110概述

SMT PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

得捷:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

IMB4AT110中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IMB4AT110

型号： IMB4AT110

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SMT PNP 50V 100mA

替代型号IMB4AT110

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IMB4AT110 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
IMB3AT110 罗姆半导体	类似代替	IMB4AT110和IMB3AT110的区别
UMB3NTN 罗姆半导体	功能相似	IMB4AT110和UMB3NTN的区别
DDA114TK-7-F 美台	功能相似	IMB4AT110和DDA114TK-7-F的区别