IMD8AT108参数规格_中文资料_数据手册PDF

IMD8AT108概述

SMT NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

IMD8AT108中文资料参数规格

技术参数

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IMD8AT108

型号： IMD8AT108

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SMT NPN+PNP 50V 100mA

替代型号IMD8AT108

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IMD8AT108 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
IMD1AT108 罗姆半导体	完全替代	IMD8AT108和IMD1AT108的区别
IMD16AT108 罗姆半导体	功能相似	IMD8AT108和IMD16AT108的区别
IMD10AT108 罗姆半导体	功能相似	IMD8AT108和IMD10AT108的区别