SMT NPN+PNP 50V 100mA
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 300mW 表面贴装型 SMT6
得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 100MA
Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
额定电流 100 mA
通道数 2
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-457
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-457
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IMD1AT108 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IMD8AT108 罗姆半导体 | 完全替代 | IMD1AT108和IMD8AT108的区别 |
IMD16AT108 罗姆半导体 | 功能相似 | IMD1AT108和IMD16AT108的区别 |
IMD10AT108 罗姆半导体 | 功能相似 | IMD1AT108和IMD10AT108的区别 |