IXTK200N10P概述
IXYS SEMICONDUCTOR IXTK200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
The is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode standard Power MOSFET offers low reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- .
- International standard packages
- .
- Unclamped inductive switching UIS rating
- .
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- .
- Avalanche rating
- .
- Easy to mount
- .
- Space saving
IXTK200N10P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 800 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 200 A
上升时间 35 ns
反向恢复时间 100 ns
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
额定功率Max 800 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买IXTK200N10P
型号： IXTK200N10P
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXTK200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V