ISO5851DWR

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ISO5851DWR概述

具有保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125

Correctly change the biasing voltage to a high power transistor by using this power driver by Texas Instruments. This device has a maximum propagation delay time of 76typ ns and a maximum power dissipation of 700 mW. Its maximum power dissipation is 700 mW. This device has a minimum operating supply voltage of 3 V and a maximum of 5.5 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.

ISO5851DWR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 20 ns

输出接口数 1

通道数 1

耗散功率 700 mW

隔离电压 5700 Vrms

下降时间Max 20 ns

上升时间Max 20 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

ISO5851DWR引脚图与封装图
ISO5851DWR引脚图
ISO5851DWR封装图
ISO5851DWR封装焊盘图
在线购买ISO5851DWR
型号: ISO5851DWR
制造商: TI 德州仪器
描述:具有保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
替代型号ISO5851DWR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ISO5851DWR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

ISO5851DW

德州仪器

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