IPW60R041C6

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IPW60R041C6概述

INFINEON  IPW60R041C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 77.5 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
MOSFET,N沟道,650V,77.5A,CoolMOS,C6,TO247


得捷:
600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin TO-247 Tube


儒卓力:
**MOSFET 600V 41mOhm 47A TO247 **


力源芯城:
600V,77.5A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3


IPW60R041C6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 481 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 77.5A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 6530pF @10VVds

额定功率Max 481 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 481W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买IPW60R041C6
型号: IPW60R041C6
描述:INFINEON  IPW60R041C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 77.5 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 3 V
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