N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
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- Dynamic dV/dt rating
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- Repetitive avalanche rated
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- Fast switching
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- Easy to parallel
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- Simple drive requirement
额定电压DC 200 V
额定电流 3.30 A
额定功率 36 W
针脚数 3
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 36 W
阈值电压 4 V
输入电容 140pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 3.30 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 140pF @25VVds
下降时间 8.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF610PBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB4020PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF610PBF和IRFB4020PBF的区别 |
IRFB4620PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF610PBF和IRFB4620PBF的区别 |