IRLR110PBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRLR110PBF概述

VISHAY IRLR110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V

The is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

.: Dynamic dV/dt rating

.: Repetitive avalanche rated

.: Surface-mount

.: Logic-level gate drive

.: RDS ON Specified at VGS = 4 and 5V

IRLR110PBF中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 4.30 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 2 V

输入电容 250pF @25V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 4.30 A

上升时间 47 ns

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRLR110PBF

型号： IRLR110PBF

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY IRLR110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V

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