IPA50R399CP

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IPA50R399CP概述

INFINEON  IPA50R399CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 399 mohm, 10 V, 3 V

N-Channel 500 V 9A Tc 83W Tc Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack


得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 9A TO220FP-3 CoolMOS CP


e络盟:
INFINEON  IPA50R399CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 399 mohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
CoolMOSTM Power Transistor


IPA50R399CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 399 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 550 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 890pF @100VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPA50R399CP
型号: IPA50R399CP
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IPA50R399CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 399 mohm, 10 V, 3 V
替代型号IPA50R399CP
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