IRFD9010PBF

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IRFD9010PBF概述

VISHAY  IRFD9010PBF  场效应管, MOSFET, P沟道, HEXDIP

DESCRIPTION

The HVMDIP technology is the key to Vishay’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HVMDIP design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

FEATURES

• For Automatic Insertion

• Compact, End Stackable

•Fast Switching

• Low Drive Current

• Easy Paralleled

• Excellent Temperature Stability

• P-Channel Versatility

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

IRFD9010PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -1.10 A

针脚数 4

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 -50.0 V

连续漏极电流Ids -1.10 A

上升时间 47 ns

下降时间 39 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP-4

外形尺寸

长度 6.9 mm

宽度 3.8 mm

高度 3.8 mm

封装 DIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFD9010PBF
型号: IRFD9010PBF
描述:VISHAY  IRFD9010PBF  场效应管, MOSFET, P沟道, HEXDIP

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