VISHAY IRF530PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 160 mohm, 10 V, 4 V
The is an N-channel Power MOSFET provides the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
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- Dynamic dV/dt rating
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- Repetitive avalanche rated
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- Fast switching
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- Ease of paralleling
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- Simple drive requirement
额定电压DC 100 V
额定电流 14.0 A
额定功率 90 W
针脚数 3
漏源极电阻 160 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 88 W
阈值电压 4 V
输入电容 670pF @25V
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 88000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube
制造应用 商业, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF530PBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB4212PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF530PBF和IRFB4212PBF的区别 |