IRF9530PBF概述
VISHAY IRF9530PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
The is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- .
- Dynamic dV/dt rating
- .
- Repetitive avalanche rated
- .
- 175°C Operating temperature
- .
- Easy to parallel
- .
- Simple drive requirement
- .
- Fast switching
IRF9530PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -12.0 A
额定功率 88 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 88 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -12.0 A
上升时间 52.0 ns
输入电容Ciss 860pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 88000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF9530PBF引脚图与封装图 
在线购买IRF9530PBF
型号： IRF9530PBF
描述：VISHAY IRF9530PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V