IRLZ14PBF概述
VISHAY IRLZ14PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V
The is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
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- Dynamic dV/dt rating
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- 175°C Operating temperature
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- Fast switching
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- Easy to parallel
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- Simple drive requirement
IRLZ14PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 10.0 A
额定功率 43 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 43 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 43 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IRLZ14PBF
型号： IRLZ14PBF
描述：VISHAY IRLZ14PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 5 V, 2 V